Samsung Electronics, líder en tecnología de memoria avanzada, mostró sus últimas innovaciones en memoria de IA durante el Future of Memory and Storage (FMS) 2026 en Santa Clara, California. Con experiencia en DRAM, NAND, almacenamiento empresarial y tecnologías de semiconductores, Samsung presentó su último portafolio de memorias para IA y su roadmap tecnológico.
Entre las novedades, destacan los modelos conceptuales zHBM y zNAND-O, y la primera presentación de la industria de la V10 BV-NAND con más de 400 capas. Samsung también presentó soluciones diseñadas para impulsar la infraestructura de IA del futuro.
Durante el evento, Samsung recreó un stand inspirado en un servidor de nube para IA, exhibiendo cerca de 30 tecnologías de memoria y almacenamiento. Los ejecutivos Jin-Yub Lee y Kyungryun Kim presentaron la visión de Samsung sobre estructuras 3D para futuras soluciones de memoria.
La conferencia de Samsung, titulada “Impulsando la ola de la revolución de la IA: innovaciones 3D en arquitectura de memoria y almacenamiento”, presentó la visión de la empresa para maximizar el rendimiento y la eficiencia energética de los sistemas de IA, mientras atiende a la creciente demanda de infraestructura de inteligencia artificial y computación de alto rendimiento (HPC).
Samsung también presentó la V10 BV-NAND, una arquitectura basada en una nueva tecnología de unión de obleas, implementada por primera vez en la industria. En el FMS 2026, Samsung reveló los primeros modelos conceptuales del sector de zHBM y zNAND-O, proponiendo su visión para la próxima generación de arquitecturas de memoria 3D.
Diseñada para computación avanzada de IA, la zHBM presenta una nueva arquitectura de memoria que apila verticalmente la HBM directamente sobre los aceleradores de IA, minimizando la distancia que los datos recorren entre el procesador de IA y la memoria. Esto permite un procesamiento ultrarrápido de datos necesario para el entrenamiento e inferencia de IA a gran escala.
Se espera que un sistema de interfaz de próxima generación con zHBM ofrezca un rendimiento aproximadamente ocho veces superior al de la HBM5. La zHBM puede alcanzar una densidad de memoria más de 10 veces superior a la de la HBM5, además de triplicar la eficiencia energética y reducir la resistencia térmica en más de la mitad.
La zHBM también admite diseños personalizados para clientes, lo que permite la integración de IP personalizada en la capa intermedia entre la memoria y el acelerador de IA, ampliando la capacidad de memoria y mejorando el rendimiento del acelerador. Basándose en una estrecha co
Etiquetas: Samsung, memoria 3D, FMS 2026, IA, tecnología, Tecnología · IA general
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